By Leonhard Stiny

ISBN-10: 3658091525

ISBN-13: 9783658091521

ISBN-10: 3658091533

ISBN-13: 9783658091538

Das Werk bietet ein umfangreiches Wissen über diskrete und integrierte Bauelemente der Halbleitertechnik. Beim Entwurf elektronischer Schaltungen sind gründliche Kenntnisse über eingesetzte Bauelemente erforderlich, um sowohl technisch als auch wirtschaftlich beste Lösungen zu finden und fehlerfreie Produkte zu realisieren. Als foundation werden die theoretischen und physikalischen Grundlagen der Halbleitertechnik vermittelt. Für alle Halbleiter-Bauelemente werden Aufbau, Wirkungsweise, Kenngrößen, Eigenschaften und Charakteristiken erläutert. Mögliche Anwendungen werden unter Bezug auf die Praxis aufgezeigt. Das Buch kann im Studium, in der Lehre sowie als Nachschlagewerk in der Praxis verwendet werden.

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Die Größen mn und mp sind die durchschnittlichen effektiven Massen der Elektronen im Leitungsband und der Löcher im Valenzband des betrachteten Halbleitermaterials. Durch diese durchschnittlichen effektiven Massen ist die gesamte Wechselwirkung der Ladungsträger mit dem Kristallgitter berücksichtigt. Ein Elektron wird als frei bezeichnet, wenn es an keiner Bindung beteiligt und damit frei beweglich ist. Die Ruhemasse des freien Elektrons beträgt me D 9;109 389 7 10 31 kg. Das Verhältnis von effektiver Elektronenmasse mn (bzw.

Der n-Ladungsträger kann durch die Konzentration der Akzeptoren bzw. Donatoren in weiten Grenzen eingestellt werden. Die Leitfähigkeit des Halbleiters wird umso höher, je stärker der Dotierungsgrad ist. Dieser liegt üblicherweise zwischen 1012 und 1016 Fremdatomen je cm3 . Auf ein dotierendes Fremdatom kommen somit in der Regel 106 bis 1010 Atome des Halbleiters. Wichtig ist stets, dass die Konzentration der Fremdatome sehr gering bleibt. Mit nC oder pC werden sehr stark dotierte Gebiete gekennzeichnet.

1) Es wird angenommen, dass ein scharfer (abrupter) Übergang vom p- in das n-Gebiet vorliegt. Beim idealen, abrupten pn-Übergang grenzt eine bis zur Grenzfläche homogen dotierte p-Zone an eine ebenfalls bis zur Grenzfläche homogen dotierte n-Zone (Abb. 2). Die Dotierung des Halbleiterkristalls ändert sich an der Grenzfläche sprunghaft. Beiderseits des pn-Übergangs liegen erheblich unterschiedliche Konzentrationen der freien Ladungsträger vor. Vor dem Zusammenfügen sind beide Hälften des Halbleiterblocks für sich elektrisch neutral.

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Aktive elektronische Bauelemente: Aufbau, Struktur, Wirkungsweise, Eigenschaften und praktischer Einsatz diskreter und integrierter Halbleiter-Bauteile by Leonhard Stiny


by John
4.3

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